泛林集团推出晶圆应力管理解决方案 支持3D NAND技术可持续发展

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近日,全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团签署推出全新除理方案,帮助客户提高芯片存储密度,以满足人工智能和机器学习等应用的需求。通过推出用于背面薄膜沉积的设备VECTOR DT和用于去除背面和边缘薄膜的湿法刻蚀设备EOS GS,泛林集团进一步拓展了其应力管理产品组合。

高深宽比沉积和刻蚀工艺是实现3D NAND技术持续发展的关键因素。随着工艺层数的增加,其每种的物理应力这样 大,要怎样控制由此引起的晶圆翘曲已成为制造过程中的另另一个 主要挑战。严重的晶圆翘曲会影响光刻焦深、层与层之间的对准、甚至是因为 图形特性畸变,从而降低产品的良率。为了提高整体良率,都要对整个制造工艺中多个步骤在晶圆、晶片和图形层面的应力进行细致管理,甚至因此 放弃因此 可提升产品性能的工艺步骤。

VECTOR DT系统是泛林集团等离子体增强化学气相沉积(PECVD)产品系列的最新产品,旨在为控制3D NAND制造中的晶圆翘曲提供五种高性价比的除理方案。在全部不接触晶圆正面的状态下,VECTOR DT可在晶圆背面沉积一层可调节、高应力、高质量的薄膜,一步到位地拉平翘曲的晶圆,改善光刻结果,减少由翘曲引起的诸多问题图片报告 。VECTOR DT问世之初便得以广泛采用,随着主流3D NAND产品向96层以上推进,其机台安装数量是因为 持续增长。

除了沉积高应力薄膜,泛林集团还提供了背面刻蚀的技术,客户可根据工艺都要,在3D NAND制造流程中灵活地调整晶圆应力。泛林集团的湿法刻蚀产品EOS GS拥有业界领先的湿法刻蚀均匀度,能在充分保护晶圆正面的前提下,并肩去除背面和边缘的薄膜,与VECTOR DT形成有力互补。作为晶圆翘曲管理除理方案的一每种,泛林集团的EOS GS也被全球存储芯片制造商广泛采用。

泛林集团副总裁兼沉积产品事业部总经理Sesha Varadarajan表示:“随着客户产品的存储单元层数持续、大幅的增加,每种应力和晶圆翘曲会超过光刻设备除理能力的极限。为了达到预期良率,实现单位字节成本降低的路线图,将应力引起的畸变降至最低至关重要。伴随VECTOR DT和EOS GS产品的推出,大伙儿儿扩大了现有的应力管理除理方案组合,能能全面管理晶圆生产中的应力,支持客户纵向技术的持续发展。”

泛林集团(Lam Research)是美国一家从事设计,制造,营销和服务用于制造集成电路的半导体加工设备的公司。公司产品主要用于前端晶片除理,涉及有源元件的半导体器件(晶体管,电容器)和布线(互连)。

泛林集团为后端晶圆级封装和相关制造市场(如微机电系统)提供设备。集团由Dr. David K. Lam在1960 年创建,总部地处美国加利福尼亚州硅谷。

泛林集团设计和构建半导体制造设备,包括薄膜沉积,等离子体蚀刻,光刻胶剥离和晶片清洗工艺。在整个半导体制造过程中,什么技术有益于创建晶体管,互连,高级存储器和封装特性。它们还用于相关市场,如微机电系统和发光二极管。

泛林集团在纳斯达克证券交易所上市的股票代码为LRCX,是纳斯达克60 组件和S&P 60 0组件,首席执行官兼总裁为Martin Anstice,董事会主席为Stephen G. Newberry。

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